The results of the project was presented in The 6th Workshop for 3D silicon Integration　 (D43D)

黒田研究室の研究成果が６月１２日日経テクノロジーオンラインに「“DRAM/SoCの高速インターフェースを
慶応大が磁界結合で実現、性能のスケーリングシナリオも示す」として取り上げられました。

黒田研究室の研究成果が６月１２日の日経産業新聞に「半導体、低コストで積層慶大、磁力線使う高速通信技術開発」として取り上げられました。